Ефремов Артем Александрович

Фото

Доцент, кандидат физ.-мат. наук, зав. кафедрой

Образование:
1996-2002. Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; радиофизический факультет; кафедра «Физическая электроника». В 2002 году получил квалификацию магистр физики по направлению «Техническая физика», специализация «Физика структур пониженной размерности».
2002-2005. Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; аспирантура; радиофизический факультет; кафедра «Физика полупроводников и диэлектриков». В 2005 году защитил диссертацию по специальности 01.04.10 – «Физика полупроводников» на тему «Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов».

Работа:

09.2015 по настоящее время. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, заведующий кафедрой «Системный анализ и управление»
09.2008-08.2015. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, доцент кафедры «Системный анализ и управление», зам. зав. каф. по учебной работе
11.2006-09.2008. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, доцент кафедры «Физическая электроника»
11.2006-09.2008. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, доцент кафедры «Системный анализ и управление»
11.2005-11.2006. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, ассистент кафедры «Системный анализ и управление»
04.2004-09.2004. University of. Bath, UK.
07.2002-04.2004. Фирма «Арима», СПб.
09.2000-12.2001. ЦНИИ РТК, СПб.

Читаемые курсы:

  • «Системы обработки информации»
  • «Информационные технологии»
  • «Компьютерные системы и технологии»
  • «Системные модели физики»

Публикации:

Более 30 научных и учебно-методических публикаций в том числе:

  1. Н.И.Бочкарева, Е.А.Жирнов, А.А.Ефремов, Ю.Т.Ребане, Р.И.Горбунов, Ю.Г.Шретер, Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2005, т.39, вып. 5, с.627-632.
  2. Н.И.Бочкарева, Е.А.Жирнов, А.А.Ефремов, Ю.Т.Ребане, Р.И.Горбунов, А.В.Клочков, Д.А.Лавринович, Ю.Г.Шретер, Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/ GaN-светодиодов // ФТП, 2005, т. 39, вып. 7, с.829-833.
  3. Н.И.Бочкарева, А.А.Ефремов, Ю.Т.Ребане, Р.И.Горбунов, А.В.Клочков, Ю.Г.Шретер, Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // ФТП, 2006, т. 40, вып. 1, с.122-127.
  4. А.А.Ефремов, Н.И.Бочкарева, Р.И.Горбунов, Д.А.Лавринович, Ю.Т.Ребане, Д.В.Тархин, Ю.Г.Шретер, Тепловые режимы голубых InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2006, т. 40, вып. 5, с.656-669.
  5. А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер, Электроника и электротехника. Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов. – СПб.: Изд–во Политехн. ун–та, 2008. – 119 с.
  6. Прогнозирование потребности в выпускниках уровневой системы высшего профессионального образования / В.Н. Козлов, П.И. Романов, И.Е. Быстров, А.А. Ефремов. – СПб.: Изд–во Политехн. ун–та, 2010. – 198 с.
  7. Методы и модели прогнозирования потребности в выпускниках вузов / В.Н. Козлов, П.И. Романов, И.Е. Быстров, А.А. Ефремов. – СПб.: Изд–во Политехн. ун–та, 2010. – 188 с.